Το τρανζίστορ MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) είναι μια συσκευή ημιαγωγών που χρησιμοποιείται ευρέως για σκοπούς εναλλαγής και για την ενίσχυση ηλεκτρονικών σημάτων σε ηλεκτρονικές συσκευές. Το MOSFET είναι είτε πυρήνας είτε ολοκληρωμένο κύκλωμα όπου έχει σχεδιαστεί και κατασκευαστεί σε ένα μόνο τσιπ, επειδή η συσκευή είναι διαθέσιμη σε πολύ μικρά μεγέθη. Η εισαγωγή της συσκευής MOSFET έφερε μια αλλαγή στον τομέα του εναλλαγή ηλεκτρονικών . Ας πάμε με μια λεπτομερή εξήγηση αυτής της έννοιας.

Τι είναι το MOSFET;

Το MOSFET είναι μια συσκευή τεσσάρων ακροδεκτών που διαθέτει ακροδέκτες πηγής (S), πύλης (G), αποστράγγισης (D) και αμαξώματος (B). Σε γενικές γραμμές, το σώμα του MOSFET συνδέεται με το τερματικό πηγής σχηματίζοντας έτσι μια τρι-τερματική συσκευή όπως ένα τρανζίστορ πεδίου-αποτελέσματος. Το MOSFET θεωρείται γενικά ως τρανζίστορ και χρησιμοποιείται τόσο στα αναλογικά όσο και στα ψηφιακά κυκλώματα. Αυτό είναι το βασικό εισαγωγή στο MOSFET . Και η γενική δομή αυτής της συσκευής έχει ως εξής:

MOSFET

Απο τα παραπανω Δομή MOSFET , η λειτουργικότητα του MOSFET εξαρτάται από τις ηλεκτρικές παραλλαγές που συμβαίνουν στο πλάτος του καναλιού μαζί με τη ροή των φορέων (είτε τρύπες είτε ηλεκτρόνια). Οι φορείς φορτίου εισέρχονται στο κανάλι μέσω του τερματικού πηγής και εξέρχονται μέσω της αποχέτευσης.

Το πλάτος του καναλιού ελέγχεται από την τάση σε ένα ηλεκτρόδιο που ονομάζεται πύλη και βρίσκεται ανάμεσα στην πηγή και την αποχέτευση. Είναι μονωμένο από το κανάλι κοντά σε ένα εξαιρετικά λεπτό στρώμα οξειδίου του μετάλλου. Η χωρητικότητα MOS που υπάρχει στη συσκευή είναι το κρίσιμο τμήμα όπου ολόκληρη η λειτουργία είναι πέρα από αυτό.

MOSFET με τερματικά

Ένα MOSFET μπορεί να λειτουργήσει με δύο τρόπους

Λειτουργία εξάντλησης
Λειτουργία βελτίωσης

Λειτουργία εξάντλησης

Όταν δεν υπάρχει τάση στον ακροδέκτη πύλης, το κανάλι δείχνει τη μέγιστη αγωγιμότητά του. Ενώ όταν η τάση στον ακροδέκτη πύλης είναι είτε θετική είτε αρνητική, τότε η αγωγιμότητα του καναλιού μειώνεται.

Για παράδειγμα

Λειτουργία βελτίωσης

Όταν δεν υπάρχει τάση στον ακροδέκτη πύλης, τότε η συσκευή δεν λειτουργεί. Όταν υπάρχει η μέγιστη τάση στον ακροδέκτη πύλης, τότε η συσκευή εμφανίζει βελτιωμένη αγωγιμότητα.

Λειτουργία βελτίωσης

Αρχή εργασίας του MOSFET

Η βασική αρχή της συσκευής MOSFET είναι να είναι σε θέση να ελέγχει την τάση και τη ροή ρεύματος μεταξύ των ακροδεκτών πηγής και αποστράγγισης. Λειτουργεί σχεδόν σαν διακόπτης και η λειτουργικότητα της συσκευής βασίζεται στον πυκνωτή MOS. Ο πυκνωτής MOS είναι το κύριο μέρος του MOSFET.

Η επιφάνεια ημιαγωγού στο κάτω στρώμα οξειδίου που βρίσκεται μεταξύ της πηγής και του ακροδέκτη αποστράγγισης μπορεί να αντιστραφεί από τον τύπο p στον τύπο n με την εφαρμογή είτε θετικής είτε αρνητικής τάσης πύλης αντίστοιχα. Όταν εφαρμόζουμε μια απωθητική δύναμη για τη θετική τάση πύλης, τότε οι οπές που υπάρχουν κάτω από το στρώμα οξειδίου ωθούνται προς τα κάτω με το υπόστρωμα.

Η περιοχή εξάντλησης συμπληρώνεται από τα δεσμευμένα αρνητικά φορτία που σχετίζονται με τα άτομα δέκτη. Όταν φτάνουν τα ηλεκτρόνια, δημιουργείται ένα κανάλι. Η θετική τάση προσελκύει επίσης ηλεκτρόνια από την πηγή n + και τις περιοχές αποστράγγισης στο κανάλι. Τώρα, εάν εφαρμοστεί τάση μεταξύ της αποχέτευσης και της πηγής, το ρεύμα ρέει ελεύθερα μεταξύ της πηγής και της αποστράγγισης και η τάση πύλης ελέγχει τα ηλεκτρόνια στο κανάλι. Αντί της θετικής τάσης, εάν εφαρμόσουμε αρνητική τάση, ένα κανάλι οπών θα σχηματιστεί κάτω από το στρώμα οξειδίου.

Διάγραμμα μπλοκ MOSFET

P-Channel MOSFET

Το κανάλι P MOSFET έχει μια περιοχή καναλιών P που βρίσκεται μεταξύ των ακροδεκτών πηγής και αποστράγγισης. Πρόκειται για μια συσκευή τεσσάρων ακροδεκτών που έχει τους ακροδέκτες ως πύλη, αποστράγγιση, πηγή και σώμα. Η αποστράγγιση και η πηγή είναι πολύ ενισχυμένη περιοχή p + και το σώμα ή το υπόστρωμα είναι τύπου n. Η ροή του ρεύματος είναι προς την κατεύθυνση των θετικά φορτισμένων οπών.

Όταν εφαρμόζουμε την αρνητική τάση με απωστική δύναμη στον ακροδέκτη πύλης, τότε τα ηλεκτρόνια που υπάρχουν κάτω από το στρώμα οξειδίου ωθούνται προς τα κάτω στο υπόστρωμα. Η περιοχή εξάντλησης κατοικείται από τα δεσμευμένα θετικά φορτία που σχετίζονται με τα άτομα του δότη. Η αρνητική τάση πύλης προσελκύει επίσης οπές από την πηγή p + και την περιοχή αποστράγγισης στην περιοχή καναλιών.

Λειτουργία εξάντλησης καναλιών P

Βελτιωμένη λειτουργία καναλιού P

N- Κανάλι MOSFET

Το N-Channel MOSFET έχει μια περιοχή καναλιών Ν που βρίσκεται μεταξύ των ακροδεκτών πηγής και αποστράγγισης. Είναι μια συσκευή τεσσάρων τερματικών που έχει τους ακροδέκτες ως πύλη, αποστράγγιση, πηγή, σώμα. Σε αυτόν τον τύπο τρανζίστορ εφέ πεδίου, η αποστράγγιση και η πηγή είναι βαριά ενισχυμένη περιοχή n + και το υπόστρωμα ή το σώμα είναι τύπου P.

Η τρέχουσα ροή σε αυτόν τον τύπο MOSFET συμβαίνει λόγω αρνητικά φορτισμένων ηλεκτρονίων. Όταν εφαρμόζουμε τη θετική τάση με απωστική δύναμη στον ακροδέκτη της πύλης, τότε οι οπές που υπάρχουν κάτω από το στρώμα οξειδίου ωθούνται προς τα κάτω στο υπόστρωμα. Η περιοχή εξάντλησης συμπληρώνεται από τα δεσμευμένα αρνητικά φορτία που σχετίζονται με τα άτομα δέκτη.

Μόλις φτάσουν τα ηλεκτρόνια, το κανάλι σχηματίζεται. Η θετική τάση προσελκύει επίσης ηλεκτρόνια από την πηγή n + και τις περιοχές αποστράγγισης στο κανάλι. Τώρα, εάν εφαρμοστεί τάση μεταξύ της αποχέτευσης και της πηγής, το ρεύμα ρέει ελεύθερα μεταξύ της πηγής και της αποστράγγισης και η τάση πύλης ελέγχει τα ηλεκτρόνια στο κανάλι. Αντί θετικής τάσης, εάν εφαρμόσουμε αρνητική τάση, τότε θα δημιουργηθεί ένα κανάλι οπών κάτω από το στρώμα οξειδίου.

“τι κάνει ένας ανεστραμμένος ενισχυτής ”

Λειτουργία βελτίωσης N κανάλι

Περιοχές λειτουργίας MOSFET

Στο πιο γενικό σενάριο, η λειτουργία αυτής της συσκευής συμβαίνει κυρίως σε τρεις περιοχές και αυτές είναι οι εξής:

Περιοχή αποκοπής - Είναι η περιοχή όπου η συσκευή θα βρίσκεται σε κατάσταση OFF και υπάρχει μηδενική ροή ρεύματος μέσω αυτής. Εδώ, η συσκευή λειτουργεί ως βασικός διακόπτης και χρησιμοποιείται τόσο όταν είναι απαραίτητη για λειτουργία ως ηλεκτρικοί διακόπτες.
Περιοχή κορεσμού - Σε αυτήν την περιοχή, οι συσκευές θα έχουν την παροχέτευσή τους για την πηγή της τρέχουσας τιμής ως σταθερή χωρίς να λαμβάνουν υπόψη την αύξηση της τάσης κατά μήκος της αποχέτευσης προς την πηγή. Αυτό συμβαίνει μόνο μία φορά όταν η τάση απέναντι στον ακροδέκτη αποστράγγισης προς την πηγή αυξάνεται περισσότερο από την τιμή τάσης πρέσας. Σε αυτό το σενάριο, η συσκευή λειτουργεί ως κλειστός διακόπτης όπου ρέει ένα κορεσμένο επίπεδο ρεύματος κατά μήκος των τερματικών αποστράγγισης προς πηγή. Λόγω αυτού, η περιοχή κορεσμού επιλέγεται όταν οι συσκευές υποτίθεται ότι εκτελούν εναλλαγή.
Γραμμική / Ωμική περιοχή - Είναι η περιοχή όπου το ρεύμα κατά μήκος του ακροδέκτη αποστράγγισης προς πηγή αυξάνεται με την αύξηση της τάσης κατά μήκος της διαδρομής αποστράγγισης προς πηγή. Όταν οι συσκευές MOSFET λειτουργούν σε αυτήν τη γραμμική περιοχή, εκτελούν λειτουργίες ενισχυτή.

Ας εξετάσουμε τώρα τα χαρακτηριστικά αλλαγής του MOSFET

Ένας ημιαγωγός, όπως το MOSFET ή το Bipolar Junction Transistor λειτουργεί βασικά ως διακόπτες σε δύο σενάρια το ένα είναι κατάσταση ON και το άλλο είναι κατάσταση OFF. Για να εξετάσουμε αυτήν τη λειτουργικότητα, ας ρίξουμε μια ματιά στα ιδανικά και πρακτικά χαρακτηριστικά της συσκευής MOSFET.

Ιδανικά χαρακτηριστικά διακόπτη

Όταν ένα MOSFET υποτίθεται ότι λειτουργεί ως ιδανικός διακόπτης, θα πρέπει να διατηρεί τις παρακάτω ιδιότητες και αυτές είναι

Στην κατάσταση ON, πρέπει να υπάρχει ο τρέχων περιορισμός που φέρει
Στην κατάσταση OFF, τα επίπεδα τάσης αποκλεισμού δεν πρέπει να έχουν κανένα είδος περιορισμού
Όταν η συσκευή λειτουργεί σε κατάσταση ON, η τιμή πτώσης τάσης θα πρέπει να είναι μηδενική
Η αντίσταση σε κατάσταση OFF πρέπει να είναι άπειρη
Δεν πρέπει να υπάρχουν περιορισμοί στην ταχύτητα λειτουργίας

Πρακτικά χαρακτηριστικά διακόπτη

Καθώς ο κόσμος δεν είναι απλώς προσκολλημένος σε ιδανικές εφαρμογές, η λειτουργία του MOSFET ισχύει ακόμη και για πρακτικούς σκοπούς. Στο πρακτικό σενάριο, η συσκευή πρέπει να περιέχει τις παρακάτω ιδιότητες

Στην κατάσταση ON, οι ικανότητες διαχείρισης ισχύος πρέπει να είναι περιορισμένες, πράγμα που σημαίνει ότι πρέπει να περιοριστεί η ροή του ρεύματος αγωγιμότητας.
Στην κατάσταση OFF, τα επίπεδα τάσης αποκλεισμού δεν πρέπει να περιορίζονται
Η ενεργοποίηση και απενεργοποίηση για πεπερασμένους χρόνους περιορίζει την περιοριστική ταχύτητα της συσκευής και περιορίζει ακόμη και τη λειτουργική συχνότητα
Στην κατάσταση ON της συσκευής MOSFET, θα υπάρχουν ελάχιστες τιμές αντίστασης όπου αυτό οδηγεί σε πτώση τάσης στην προκατάληψη προώθησης. Επίσης, υπάρχει πεπερασμένη αντίσταση κατάστασης OFF που παρέχει αντίστροφο ρεύμα διαρροής
Όταν η συσκευή έχει πρακτικά χαρακτηριστικά, χάνει την κατάσταση ενεργοποίησης και απενεργοποίησης. Αυτό συμβαίνει ακόμη και στις μεταβατικές καταστάσεις.

Παράδειγμα του MOSFET ως διακόπτη

Στην παρακάτω ρύθμιση κυκλώματος, μια βελτιωμένη λειτουργία και N-channel MOSFET χρησιμοποιούνται για την εναλλαγή ενός δείγματος λαμπτήρα με τις συνθήκες ON και OFF. Η θετική τάση στον ακροδέκτη πύλης εφαρμόζεται στη βάση του τρανζίστορ και ο λαμπτήρας κινείται σε κατάσταση ΟΝ και εδώ V_GS= + v ή σε μηδενικό επίπεδο τάσης, η συσκευή μεταβαίνει σε κατάσταση OFF όπου V_GS= 0.

“δημιουργήστε το δικό σας μεταβλητό τροφοδοτικό ”

MOSFET ως διακόπτης

Εάν το φορτίο αντίστασης της λάμπας επρόκειτο να αντικατασταθεί από ένα επαγωγικό φορτίο και να συνδεθεί με το ρελέ ή τη δίοδο που προστατεύεται από το φορτίο. Στο παραπάνω κύκλωμα, είναι ένα πολύ απλό κύκλωμα για την εναλλαγή ενός φορτίου αντίστασης όπως μια λάμπα ή ένα LED. Αλλά όταν χρησιμοποιείτε το MOSFET ως διακόπτη είτε με επαγωγικό φορτίο είτε με χωρητικό φορτίο, τότε απαιτείται προστασία για τη συσκευή MOSFET.

Εάν στην περίπτωση που το MOSFET δεν προστατεύεται, ενδέχεται να προκληθεί ζημιά στη συσκευή. Για να λειτουργεί το MOSFET ως αναλογική συσκευή εναλλαγής, πρέπει να εναλλάσσεται μεταξύ της περιοχής αποκοπής όπου V_GS= 0 και περιοχή κορεσμού όπου V_GS= + v.

Περιγραφή βίντεο

Το MOSFET μπορεί επίσης να λειτουργήσει ως τρανζίστορ και είναι συντομογραφία ως Metal Transide Silicon Field Effect Transistor. Εδώ, το ίδιο το όνομα έδειξε ότι η συσκευή μπορεί να λειτουργήσει ως τρανζίστορ. Θα έχει κανάλι P και κανάλι N. Η συσκευή συνδέεται με τέτοιο τρόπο χρησιμοποιώντας τους τέσσερις ακροδέκτες πηγής, πύλης και αποστράγγισης και ένα αντιστατικό φορτίο 24Ω συνδέεται σε σειρά με ένα αμπερόμετρο και ένας μετρητής τάσης συνδέεται σε όλο το MOSFET.

Στο τρανζίστορ, η ροή ρεύματος στην πύλη είναι σε θετική κατεύθυνση και το τερματικό πηγής συνδέεται με τη γείωση. Ενώ στις συσκευές τρανζίστορ διπολικής διασταύρωσης, η ροή ρεύματος βρίσκεται κατά μήκος της διαδρομής βάσης προς εκπομπή. Αλλά σε αυτήν τη συσκευή, δεν υπάρχει ροή ρεύματος επειδή υπάρχει πυκνωτής στην αρχή της πύλης, χρειάζεται μόνο τάση.

Αυτό μπορεί να συμβεί προχωρώντας στη διαδικασία προσομοίωσης και ενεργοποιώντας / απενεργοποιώντας. Όταν ο διακόπτης είναι ON, δεν υπάρχει ροή ρεύματος στο κύκλωμα, όταν η αντίσταση των τάσεων 24Ω και 0,29 του αμπερόμετρου είναι συνδεδεμένη, τότε βρίσκουμε την αμελητέα πτώση τάσης στην πηγή επειδή υπάρχει + 0.21V σε αυτήν τη συσκευή.

Η αντίσταση μεταξύ αποστράγγισης και πηγής ονομάζεται RDS. Λόγω αυτού του RDS, η πτώση τάσης εμφανίζεται όταν υπάρχει ρεύμα στο κύκλωμα. Το RDS ποικίλλει ανάλογα με τον τύπο της συσκευής (μπορεί να κυμαίνεται μεταξύ 0,001, 0,005 και 0,05 με βάση τον τύπο της τάσης.

Λίγες από τις έννοιες που πρέπει να μάθετε είναι:

1). Πώς να επιλέξετε το MOSFET ως διακόπτη ;

Υπάρχουν λίγες συνθήκες που πρέπει να τηρούνται κατά την επιλογή του MOSFET ως διακόπτη και είναι οι εξής:

Χρήση πολικότητας είτε P είτε Ν καναλιού
Μια μέγιστη βαθμολογία των τιμών τάσης και ρεύματος λειτουργίας
Αυξήθηκε το Rds ON που σημαίνει ότι η αντίσταση στο τερματικό Drain to Source όταν το κανάλι είναι εντελώς ανοιχτό
Βελτιωμένη λειτουργική συχνότητα
Το είδος συσκευασίας είναι To-220 και DPAck και πολλά άλλα.

2). Τι είναι η απόδοση διακόπτη MOSFET;

Ο κύριος περιορισμός κατά τον χρόνο λειτουργίας του MOSFET ως συσκευής εναλλαγής είναι η βελτιωμένη τιμή ρεύματος αποστράγγισης για την οποία μπορεί να είναι ικανή η συσκευή. Αυτό σημαίνει ότι το RDS σε κατάσταση ON είναι η κρίσιμη παράμετρος που αποφασίζει την ικανότητα μεταγωγής του MOSFET. Αναπαριστάται ως η αναλογία τάσης πηγής αποστράγγισης προς αυτή του ρεύματος αποστράγγισης. Πρέπει να υπολογιστεί μόνο στην κατάσταση ON του τρανζίστορ.

3). Γιατί ο διακόπτης MOSFET χρησιμοποιείται στο Boost Converter;

Γενικά, ένας μετατροπέας ώθησης χρειάζεται ένα τρανζίστορ εναλλαγής για τη λειτουργία της συσκευής. Έτσι, ως μεταγωγέα τρανζίστορ MOSFET χρησιμοποιούνται. Αυτές οι συσκευές χρησιμοποιούνται για να γνωρίζουν την τρέχουσα τιμή και τις τιμές τάσης. Επίσης, λαμβάνοντας υπόψη την ταχύτητα αλλαγής και το κόστος, αυτά χρησιμοποιούνται εκτενώς.

Με τον ίδιο τρόπο, το MOSFET μπορεί επίσης να χρησιμοποιηθεί με πολλούς τρόπους. και αυτά είναι

Το MOSFET ως διακόπτης για LED
remove_circle_outline
Το MOSFET ως διακόπτης για το Arduino
Διακόπτης MOSFET για φορτίο εναλλασσόμενου ρεύματος
Διακόπτης MOSFET για κινητήρα dc
Διακόπτης MOSFET για αρνητική τάση
Το MOSFET ως διακόπτης με το Arduino
Το MOSFET ως διακόπτης με μικροελεγκτή
Διακόπτης MOSFET με υστέρηση
MOSFET ως διακόπτης δίοδος και ενεργή αντίσταση
Το MOSFET ως εξίσωση διακόπτη
Διακόπτης MOSFET για airsoft
MOSFET ως αντίσταση πύλης διακόπτη
Το MOSFET ως ηλεκτρομαγνητική βαλβίδα εναλλαγής
Διακόπτης MOSFET με χρήση οπτικού συζεύκτη
Διακόπτης MOSFET με υστέρηση

Εφαρμογή του MOSFET ως διακόπτη

Ένα από τα κύρια παραδείγματα αυτής της συσκευής είναι ότι χρησιμοποιείται ως διακόπτης είναι ο αυτόματος έλεγχος φωτεινότητας στα φώτα του δρόμου. Αυτές τις μέρες, πολλά από τα φώτα που παρατηρούμε στους αυτοκινητόδρομους αποτελούνται από λαμπτήρες εκκένωσης υψηλής έντασης. Αλλά η χρήση λαμπτήρων HID καταναλώνει αυξημένα επίπεδα ενέργειας.

Η φωτεινότητα δεν μπορεί να περιοριστεί με βάση την απαίτηση και γι 'αυτό πρέπει να υπάρχει διακόπτης για την εναλλακτική μέθοδο φωτισμού και είναι LED. Η χρήση του συστήματος LED θα ξεπεράσει τα μειονεκτήματα των λαμπτήρων υψηλής έντασης. Η βασική ιδέα πίσω από την κατασκευή αυτού ήταν ο έλεγχος των φώτων απευθείας στους αυτοκινητόδρομους χρησιμοποιώντας έναν μικροεπεξεργαστή.

Εφαρμογή MOSFET ως διακόπτης

Αυτό μπορεί να επιτευχθεί μόνο τροποποιώντας τους παλμούς του ρολογιού. Με βάση την αναγκαιότητα, αυτή η συσκευή χρησιμοποιείται για την αλλαγή λαμπτήρων. Αποτελείται από έναν πίνακα σμέουρων όπου περιλαμβάνεται με έναν επεξεργαστή για διαχείριση. Εδώ, τα LED μπορούν να αντικατασταθούν στη θέση των HID και αυτά συνδέονται με τον επεξεργαστή μέσω MOSFET. Ο μικροελεγκτής παρέχει αντίστοιχους κύκλους λειτουργίας και μετά μεταβαίνει σε MOSFET για να παρέχει υψηλό επίπεδο έντασης.

Πλεονεκτήματα

Λίγα από τα πλεονεκτήματα είναι:

Παράγει βελτιωμένη απόδοση ακόμα και όταν λειτουργεί σε ελάχιστα επίπεδα τάσης
Δεν υπάρχει παρουσία ρεύματος πύλης, αυτό δημιουργεί περισσότερη αντίσταση εισόδου, η οποία παρέχει επιπλέον αυξημένη ταχύτητα μεταγωγής για τη συσκευή
Αυτές οι συσκευές μπορούν να λειτουργήσουν σε ελάχιστα επίπεδα ισχύος και χρησιμοποιούν ελάχιστο ρεύμα

Μειονεκτήματα

Μερικά από τα μειονεκτήματα είναι:

Όταν αυτές οι συσκευές λειτουργούν σε επίπεδα τάσης υπερφόρτωσης, δημιουργεί αστάθεια της συσκευής
Επειδή οι συσκευές έχουν ένα λεπτό στρώμα οξειδίου, αυτό μπορεί να προκαλέσει ζημιά στη συσκευή όταν διεγείρεται από τα ηλεκτροστατικά φορτία

Εφαρμογές

Οι εφαρμογές του MOSFET είναι

Οι ενισχυτές κατασκευασμένοι από MOSFET χρησιμοποιούνται εξαιρετικά σε εφαρμογές εκτεταμένης συχνότητας
Οι ρυθμίσεις για κινητήρες DC παρέχονται από αυτές τις συσκευές
Επειδή αυτές έχουν αυξημένες ταχύτητες μεταγωγής, λειτουργεί τέλεια για την κατασκευή ενισχυτών ελικόπτερο
Λειτουργεί ως παθητικό στοιχείο για διάφορα ηλεκτρονικά στοιχεία.

Στο τέλος, μπορεί να συναχθεί ότι το τρανζίστορ απαιτεί ρεύμα, ενώ το MOSFET απαιτεί τάση. Η οδηγική απαίτηση για το MOSFET είναι πολύ καλύτερη, πολύ απλούστερη σε σύγκριση με ένα BJT. Και επίσης ξέρω Πώς μπορώ να συνδέσω ένα Mosfet σε έναν διακόπτη;

Φωτογραφικές μονάδες